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GermanyIPD09N03LB G
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD09N03LB G
摘要
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
58W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD09N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000016412
IPD09N03LB G-ND
IPD09N03LBG
IPD09N03LBGXT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD09N03LB G
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规格书
1(IPx09N03LB G)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
1(IPx09N03LB G)
价格
-
替代型号
型号 : IPD090N03LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 103,034
单价. : ¥6.28000
替代类型. : 直接
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型号 : DMN3010LK3-13
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库存 : 2,500
单价. : ¥5.17000
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库存 : 0
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单价. : ¥15.34000
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型号 : FDD8880
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库存 : 0
单价. : ¥7.39000
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