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GermanyNE5230DR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NE5230DR2G
摘要
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
详情
通用 放大器 1 电路 满摆幅 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
放大器类型
通用
电路数
1
输出类型
满摆幅
压摆率
0.25V/µs
增益带宽积
600 kHz
电流 - 输入偏置
40 nA
电压 - 输入补偿
400 µV
电流 - 供电
1.1mA
电流 - 输出/通道
32 mA
电压 - 跨度（最小值）
1.8 V
电压 - 跨度（最大值）
15 V
工作温度
0°C ~ 70°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NE5230
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
其它名称
NE5230DR2G-ND
2156-NE5230DR2G-ONTR
NE5230DR2GOSCT
=NE5230DR2GOSCT-ND
ONSONSNE5230DR2G
NE5230DR2GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/线性/放大器/仪器，运算放大器，缓冲器/onsemi NE5230DR2G
相关文档
规格书
1(NE,SA,SE5230)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NE,SA,SE5230)
EDA 模型
1(NE5230DR2G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : TS1851IDT
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 43
单价. : ¥12.96000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.96000
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