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GermanyBSM75GD120DN2BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSM75GD120DN2BOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 103A 520W
详情
IGBT 模块 三相反相器 1200 V 103 A 520 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
最后售卖
IGBT 类型
-
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
103 A
功率 - 最大值
520 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）
1.5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
5.1 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM75GD120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000100364
BSM75GD120DN2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM75GD120DN2BOSA1
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Forum Discussions
1(What’s the suffix BOSA1 mean in Infineon FF600R12IE4BOSA1?)
价格
数量: 10
单价: $2017.327
包装: 托盘
最小包装数量: 10
包装: 托盘
最小包装数量: 10
替代型号
型号 : FS150R12KT4B9BOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16
单价. : ¥2,567.98000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥2,567.98000
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