元器件型号详细信息

原厂型号
IPD26DP06NMSAUMA1
摘要
MOSFET P-CH 60V TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V PG-TO252-3-313
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
Vgs(最大值)
-
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD26DP06

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD26DP06NMSAUMA1

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价格

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替代型号

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