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GermanyFDC6506P
元器件型号详细信息
原厂型号
FDC6506P
摘要
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
详情
MOSFET - 阵列 30V 1.8A 700mW 表面贴装型 SuperSOT™-6
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
170 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190pF @ 15V
功率 - 最大值
700mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
SuperSOT™-6
基本产品编号
FDC6506
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDC6506PDKR
FDC6506PTR
FDC6506PCT
Q9903416
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDC6506P
相关文档
规格书
1(FDC6506P)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chg 6/May/2020)
PCN 封装
()
价格
-
替代型号
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