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GermanyIXFN24N100F
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFN24N100F
摘要
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
详情
底座安装 N 通道 1000 V 24A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerRF™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
390 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
600W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
IXFN24
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFN24N100F
相关文档
规格书
1(IXFN24N100F)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 18/Jan/2019)
HTML 规格书
1(IXFN24N100F)
价格
-
替代型号
型号 : APT26M100JCU3
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥304.71962
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥304.71962
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