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GermanyPMG45UN,115
元器件型号详细信息
原厂型号
PMG45UN,115
摘要
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSSOP
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 3A（Ta） 375mW（Ta），4.35W（Tc） 6-TSSOP
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.3 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
184 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375mW（Ta），4.35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSSOP
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
基本产品编号
PMG45
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-PMG45UN115
568-10790-2
568-10790-1
PMG45UN,115-ND
NEXNXPPMG45UN,115
2156-PMG45UN115-NXTR-ND
2156-PMG45UN,115-ND
568-10790-6
934066614115
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PMG45UN,115
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规格书
1(PMG45UN Datasheet)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 25/Dec/2013)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(PMG45UN Datasheet)
价格
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