SI2356DS-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SI2356DS-T1-GE3

摘要

MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236

详情

表面贴装型 N 通道 40 V 4.3A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

99 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

51 毫欧 @ 3.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

13 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

370 pF @ 20 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

960mW（Ta），1.7W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

基本产品编号

SI2356

其它名称

SI2356DS-T1-GE3DKR

SI2356DS-T1-GE3TR

SI2356DS-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3

价格

数量: 3000

单价: $0.91177
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $0.99469
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.3262
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $1.7681
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $2.6
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.18
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $0.99469
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.3262
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $1.7681
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $2.6
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.18
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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单价. : ¥5.96000
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制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 18,000
单价. : ¥7.39000
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制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 331
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型号 : RQ5H025TNTL

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 604
单价. : ¥4.85000
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RN73R2ETTD2872C25 RN73H1JTTD1113D100 FLTWC0311-14-2 LBW6GB-A1T3VS BEF-KHS-N04N

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