元器件型号详细信息

原厂型号
PBSS4350SPN,115
摘要
TRANS NPN/PNP 50V 2.7A 8SO
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN,PNP 50V 2.7A 750mW 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
2.7A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
340mV @ 270mA,2.7A / 370mV @ 270mA,2.7A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
300 @ 1A,2V / 180 @ 1A,2V
功率 - 最大值
750mW
频率 - 跃迁
-
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
PBSS4350

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

568-7301-6
568-7301-2
PBSS4350SPN115
568-7301-1
934061033115
PBSS4350SPN T/R
PBSS4350SPN T/R-ND
1727-5754-1
568-7301-6-ND
568-7301-2-ND
1727-5754-6
PBSS4350SPN,115-ND
1727-5754-2
568-7301-1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列/Nexperia USA Inc. PBSS4350SPN,115

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规格书
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1(Mult Dev Eol 26/Dec/2020)
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1(Transistors 8 inch Wafer 18/Feb/2014)
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()
HTML 规格书
1(PBSS4350SPN)

价格

-

替代型号

型号 : PHPT610030NPKX
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥6.36000
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型号 : NSS40302PDR2G
制造商 : onsemi
库存 : 0
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