English
Spain
Rusia
Italy
GermanyGA08JT17-247
元器件型号详细信息
原厂型号
GA08JT17-247
摘要
TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
详情
通孔 1700 V 8A（Tc）（90°C） 48W（Tc） TO-247AB
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
-
技术
SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）（90°C）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 8A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
48W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AB
封装/外壳
TO-247-3
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1242-1135
GA08JT17247
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247
相关文档
规格书
1(GA08JT17-247)
特色产品
1(Silicon Carbide Transistor)
PCN 产品变更/停产
1(DK OBS NOTICE)
价格
-
替代型号
型号 : G3R160MT17D
制造商 : GeneSiC Semiconductor
库存 : 1,199
单价. : ¥97.31000
替代类型. : 类似
库存 : 1,199
单价. : ¥97.31000
替代类型. : 类似