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GermanyCSD19531KCS
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19531KCS
摘要
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 100A（Ta） 214W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3870 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD19531
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-ND
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19531KCS
相关文档
规格书
1(CSD19531KCS)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(Site Chg 04/Dec/2015)
EDA 模型
1(CSD19531KCS by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $7.54833
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $7.74697
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $8.04495
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $8.64083
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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数量: 10
单价: $15.789
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $17.57
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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