最后更新
20250712
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
IRL3103SPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL3103SPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 64A(Tc) 94W(Tc) D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
12 毫欧 @ 34A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1650 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
94W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRL3103SPBF
SP001578512
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRL3103SPBF
相关文档
规格书
1(IRL3103S/L)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 25/Apr/2014)
PCN 设计/规格
1(Material Chg 24/Nov/2015)
PCN 组装/来源
1(Alternate Assembly Site 11/Nov/2013)
HTML 规格书
1(IRL3103S/L)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN017-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,687
单价. : ¥8.51000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN4R3-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 8,000
单价. : ¥12.24000
替代类型. : 类似
相似型号
CI160808-18NJ
UMF1C100MDD
CC1206JPX7R9BB333
MMF50SFRE162K
8450-104-100-0