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GermanyGA35XCP12-247
元器件型号详细信息
原厂型号
GA35XCP12-247
摘要
IGBT 1200V SOT247
详情
IGBT PT 1200 V 通孔 TO-247AB
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
35 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3V @ 15V，35A
开关能量
2.66mJ（开），4.35mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
50 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
800V，35A，22欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
36 ns
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AB
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247
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规格书
1(GA35XCP12-247)
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价格
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