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GermanyNTTFS1D2N02P1E
元器件型号详细信息
原厂型号
NTTFS1D2N02P1E
摘要
MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 23A（Ta），180A（Tc） 820mW（Ta），52W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 934µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4040 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
820mW（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3）
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NTTFS1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NTTFS1D2N02P1EDKR
488-NTTFS1D2N02P1ETR
488-NTTFS1D2N02P1ECT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTTFS1D2N02P1E
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规格书
1(NTTFS1D2N02P1E)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTTFS1D2N02P1E)
EDA 模型
1(NTTFS1D2N02P1E by Ultra Librarian)
价格
数量: 6000
单价: $7.8062
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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替代型号
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