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最后更新

20250414
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SSM3K7002KFU,LXH

元器件型号详细信息

原厂型号
SSM3K7002KFU,LXH
摘要
SMOS LOW RON NCH IO: 0.4A VDSS:
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 400mA（Ta） 150mW（Ta） USM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
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技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
USM
封装/外壳
SC-70，SOT-323

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

264-SSM3K7002KFULXHTR
264-SSM3K7002KFULXHCT
SSM3K7002KFU,LXH(B
264-SSM3K7002KFULXHDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU,LXH

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规格书
1(SSM3K7002KFU)
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1(Term of Use Statement)

价格

数量: 150000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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