English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPW65R080CFDAFKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPW65R080CFDAFKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 43.3A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 17.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
161 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
391W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW65R080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000875806
2156-IPW65R080CFDAFKSA1
INFINFIPW65R080CFDAFKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW65R080CFDAFKSA1
相关文档
规格书
1(IPW65R080CFDA)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chg 26/Jun/2020)
HTML 规格书
1(IPW65R080CFDA)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFDA Spice Model)
价格
数量: 1000
单价: $64.12835
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $69.91438
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $78.5936
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $93.058
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $101.28
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : TK39N60W5,S1VF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 878
单价. : ¥64.47000
替代类型. : 类似
库存 : 878
单价. : ¥64.47000
替代类型. : 类似
型号 : SIHG40N60E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 428
单价. : ¥54.69000
替代类型. : 类似
库存 : 428
单价. : ¥54.69000
替代类型. : 类似
型号 : TK35N65W,S1F
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 25
单价. : ¥62.48000
替代类型. : 类似
库存 : 25
单价. : ¥62.48000
替代类型. : 类似