元器件型号详细信息

原厂型号
SSM6N68NU,LF
摘要
SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H
详情
MOSFET - 阵列 30V 4A(Ta) 2W(Ta) 表面贴装型 6-µDFN(2x2)
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
84毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
129pF @ 15V
功率 - 最大值
2W(Ta)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-µDFN(2x2)
基本产品编号
SSM6N68

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SSM6N68NULFDKR
SSM6N68NU,LF(B
SSM6N68NULFCT
SSM6N68NULFTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N68NU,LF

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规格书
1(SSM6N68NU)
EDA 模型
1(SSM6N68NU,LF by Ultra Librarian)

价格

数量: 75000
单价: $0.812
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
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