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GermanyZXMN3A03E6TA
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMN3A03E6TA
摘要
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 3.7A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
11 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-6
封装/外壳
SOT-23-6
基本产品编号
ZXMN3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
31-ZXMN3A03E6TATR
ZXMN3A03E6DKRINACTIVE
ZXMN3A03E6TR
31-ZXMN3A03E6TACT
31-ZXMN3A03E6TADKR
ZXMN3A03E6CT
ZXMN3A03E6DKR
ZXMN3A03E6TR-NDR
ZXMN3A03E6CT-ND
ZXMN3A03E6TR-ND
ZXMN3A03E6DKR-ND
ZXMN3A03E6CT-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZXMN3A03E6TA
相关文档
规格书
1(ZXMN3A03E6)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
PCN 其他
1(Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013)
价格
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