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GermanyHGTP7N60A4-F102
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTP7N60A4-F102
摘要
IGBT 600V 34A TO220-3
详情
IGBT 600 V 34 A 125 W 通孔 TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
34 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
56 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，7A
功率 - 最大值
125 W
开关能量
55µJ（开），150µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
60 nC
25°C 时 Td（开/关）值
11ns/100ns
测试条件
390V，7A，25 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
基本产品编号
HGTP7N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-HGTP7N60A4-F102-OS
ONSONSHGTP7N60A4-F102
HGTP7N60A4_F102
HGTP7N60A4_F102-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTP7N60A4-F102
相关文档
规格书
1(HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4)
价格
-
替代型号
-