元器件型号详细信息

原厂型号
IPP60R160C6XKSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3
详情
通孔 N 通道 600 V 23.8A(Tc) 176W(Tc) PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 11.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
75 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1660 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
176W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R160

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

448-IPP60R160C6XKSA1
IPP60R160C6XKSA1-ND
IPP60R160C6-ND
SP000652796
IPP60R160C6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPP60R160C6XKSA1

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仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model)

价格

数量: 2000
单价: $17.93979
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $18.88396
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.39106
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $35.77
包装: 管件
最小包装数量: 1

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