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GermanyBSS119E6327
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS119E6327
摘要
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
78 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSS119
BSS119XTINTR
BSS119INCT-NDR
BSS119INTR-NDR
BSS119E6327XT
BSS119XTINTR-ND
BSS119INCT
SP000011161
BSS119XTINCT-ND
BSS119XTINCT
BSS119INTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSS119E6327
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HTML 规格书
1(BSS119)
价格
-
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库存 : 14,614
单价. : ¥3.74000
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型号 : BSS123-7-F
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 77,255
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型号 : PMV213SN,215
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单价. : ¥4.77000
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型号 : ZVN3310FTA
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库存 : 0
单价. : ¥4.85000
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