最后更新
20250503
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
NDD02N40T4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NDD02N40T4G
摘要
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 400 V 1.7A(Tc) 39W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
121 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
39W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NDD02
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NDD02N40T4GOSCT
NDD02N40T4G-ND
NDD02N40T4GOSDKR
NDD02N40T4GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NDD02N40T4G
相关文档
规格书
1(NDD02N40, NDT02N40)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 01/Sep/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 29/Aug/2017)
HTML 规格书
1(NDD02N40, NDT02N40)
价格
-
替代型号
-
相似型号
OD4015-24MS
SIT3372AI-4B9-30NC200.000000
293653-4
RN73H2ETTD3440F10
22759/32-12-0