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20260111
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NXH80T120L2Q0SG
元器件型号详细信息
原厂型号
NXH80T120L2Q0SG
摘要
IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
详情
IGBT 模块 T-型 1200 V 65 A 146 W 通孔 20-PIM/Q0PACK(55x32.5)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
-
配置
T-型
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
65 A
功率 - 最大值
146 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V,80A
电流 - 集电极截止(最大值)
100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
1.99 nF @ 20 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
模块
供应商器件封装
20-PIM/Q0PACK(55x32.5)
基本产品编号
NXH80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi NXH80T120L2Q0SG
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环保信息
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PCN 组装/来源
1(Mult Devices Fab 09/Apr/2018)
HTML 规格书
1(NXH80T120L2Q0PG,SG)
价格
-
替代型号
-
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