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GermanySTGWT40H60DLFB
元器件型号详细信息
原厂型号
STGWT40H60DLFB
摘要
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 283 W 通孔 TO-3P
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，40A
功率 - 最大值
283 W
开关能量
363µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
210 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-/142ns
测试条件
400V，40A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
基本产品编号
STGWT40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-14228-5
497-14228-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGWT40H60DLFB
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()
HTML 规格书
1(STGW(T)40H60DLFB)
价格
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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