IPP80N06S2L07AKSA2

元器件型号详细信息

原厂型号

IPP80N06S2L07AKSA2

摘要

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

详情

通孔 N 通道 55 V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

管件

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

7 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

130 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3160 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

210W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-3-1

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

IPP80N06

其它名称

INFINFIPP80N06S2L07AKSA2

SP001067894

2156-IPP80N06S2L07AKSA2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP80N06S2L07AKSA2

价格

数量: 500

单价: $15.81046
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $18.5726
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $22.664
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $25.2
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPP100N06S2L05AKSA2

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库存 : 500
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库存 : 59
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制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥23.69000
替代类型. : 类似

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制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥22.97000
替代类型. : 类似

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制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥12.00000
替代类型. : 类似

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库存 : 2,555
单价. : ¥16.54000
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RNC65J8873FRRE7 831-91-026-30-002000 SI3529DV-T1-GE3 SG-8018CA 28.2244M-TJHSA0 MAX4075BJESA

IPP80N06S2L07AKSA2

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