IPAN65R650CEXKSA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPAN65R650CEXKSA1

摘要

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220

详情

通孔 N 通道 650 V 10.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220-FP

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

39 周

EDA/CAD 模型

标准包装

500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

650 毫欧 @ 2.1A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 210µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

23 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

440 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

28W（Tc）

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO220-FP

封装/外壳

TO-220-3 整包

基本产品编号

IPAN65

其它名称

SP001508828

ROCINFIPAN65R650CEXKSA1

2156-IPAN65R650CEXKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1

价格

数量: 10000

单价: $4.39033
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 5000

单价: $4.56183
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $4.80194
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.14494
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.51686
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.8887
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $10.12
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $11.29
包装: 管件
最小包装数量: 1

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制造商 : STMicroelectronics
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制造商 : onsemi
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替代类型. : 类似

IDSS-08-D-12.00 TR2005S2V5 CX10S-DBCBCG-P-A-DK00000 2491950000 2RK090M-4

IPAN65R650CEXKSA1

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