最后更新
20250711
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元器件资讯
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IRF6810STRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6810STRPBF
摘要
MOSFET N CH 25V 16A S1
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 16A(Ta),50A(Tc) 2.1W(Ta),20W(Tc) DirectFET™ 等容 S1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.2 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1038 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),20W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DirectFET™ 等容 S1
封装/外壳
DirectFET™ 等容 S1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6810STRPBFCT
IRF6810STRPBFDKR
SP001530834
IRF6810STRPBF-ND
IRF6810STRPBFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRF6810STRPBF
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HTML 规格书
1(IRF6810STR (1) PBF)
仿真模型
1(IRF6810STRPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRLR3636TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 13,839
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似
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