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GermanyIRF6810STRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6810STRPBF
摘要
MOSFET N CH 25V 16A S1
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 16A（Ta），50A（Tc） 2.1W（Ta），20W（Tc） DirectFET™ 等容 S1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.2 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1038 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），20W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DirectFET™ 等容 S1
封装/外壳
DirectFET™ 等容 S1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6810STRPBFCT
IRF6810STRPBFDKR
SP001530834
IRF6810STRPBF-ND
IRF6810STRPBFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6810STRPBF
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HTML 规格书
1(IRF6810STR (1) PBF)
仿真模型
1(IRF6810STRPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRLR3636TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 13,839
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似
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