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20250414
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元器件资讯
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NVMS4816NR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMS4816NR2G
摘要
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 6.8A(Ta) 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.2 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1060 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
NVMS48
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVMS4816NR2G
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环保信息
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价格
-
替代型号
型号 : DMN3010LSS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥2.28760
替代类型. : 类似
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