English
Spain
Rusia
Italy
GermanySIHP22N60AE-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHP22N60AE-GE3
摘要
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 20A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
96 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1451 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
179W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SIHP22
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHP22N60AE-GE3
相关文档
规格书
1(SIHP22N60AE)
其他相关文档
1(Packaging Information)
产品培训模块
1(High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)
HTML 规格书
1(SIHP22N60AE)
价格
数量: 1000
单价: $15.7649
包装: 管件
最小包装数量: 1000
包装: 管件
最小包装数量: 1000
替代型号
型号 : SIHP22N60AE-BE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,980
单价. : ¥29.81000
替代类型. : 直接
库存 : 1,980
单价. : ¥29.81000
替代类型. : 直接
型号 : STP28NM60ND
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 137
单价. : ¥53.26000
替代类型. : 类似
库存 : 137
单价. : ¥53.26000
替代类型. : 类似
型号 : STP31N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,110
单价. : ¥33.71000
替代类型. : 类似
库存 : 1,110
单价. : ¥33.71000
替代类型. : 类似
型号 : IPP60R190E6XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 500
单价. : ¥29.49000
替代类型. : 类似
库存 : 500
单价. : ¥29.49000
替代类型. : 类似
型号 : STP28N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,044
单价. : ¥26.47000
替代类型. : 类似
库存 : 1,044
单价. : ¥26.47000
替代类型. : 类似