元器件型号详细信息

原厂型号
MMBT6427LT1G
摘要
TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 40 V 500 mA 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1.5V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值
225 mW
频率 - 跃迁
-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
基本产品编号
MMBT6427

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

ONSONSMMBT6427LT1G
MMBT6427LT1GOSDKR
MMBT6427LT1GOS
MMBT6427LT1GOSTR
2156-MMBT6427LT1G-OS
MMBT6427LT1GOS-ND
MMBT6427LT1GOSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/onsemi MMBT6427LT1G

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规格书
1(MMBT,SMMBT6427LT1G)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 02/Apr/2020)
HTML 规格书
1(MMBT,SMMBT6427LT1G)
EDA 模型
()

价格

数量: 150000
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最小包装数量: 1

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