DMN3009LFVW-13

元器件型号详细信息

原厂型号

DMN3009LFVW-13

摘要

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

详情

表面贴装，可润湿侧翼 N 通道 30 V 60A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8（SWP）UX 类

原厂/品牌

Diodes Incorporated

原厂到货时间

28 周

EDA/CAD 模型

标准包装

供应商库存

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技术参数

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

42 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2000 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

1W（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装，可润湿侧翼

供应商器件封装

PowerDI3333-8（SWP）UX 类

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

DMN3009

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN3009LFVW-13

价格

数量: 30000

单价: $1.50744
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 15000

单价: $1.56774
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $1.62804
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $1.74864
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

替代型号

型号 : DMN3009LFVW-7

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥4.53000
替代类型. : 参数等效

型号 : TPH4R003NL,L1Q

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 4,132
单价. : ¥8.51000
替代类型. : 类似

型号 : TPN4R303NL,L1Q

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 5,000
单价. : ¥7.08000
替代类型. : 类似

型号 : IRFH8325TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 17
单价. : ¥5.01000
替代类型. : 类似

型号 : AON7534

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 119,127
单价. : ¥5.01000
替代类型. : 类似

型号 : RJK03M3DPA-00#J5A

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 3,000
单价. : ¥6.42305
替代类型. : 类似

型号 : BSZ0589NSATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 5,555
单价. : ¥8.90000
替代类型. : 类似

HCM43DSEF HV73V2ATTD5233F C1206X223J1REC7800 ESQT-140-02-F-S-310 1808J0630473MDT

DMN3009LFVW-13

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