元器件型号详细信息

原厂型号
NTD2955T4G
摘要
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 12A(Ta) 55W(Tj) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
70 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
180 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
750 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
55W(Tj)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NTD2955

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NTD2955T4GOSTR
ONSONSNTD2955T4G
NTD2955T4GOSCT
2156-NTD2955T4G-OS
NTD2955T4GOS
NTD2955T4GOS-ND
NTD2955T4GOSDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTD2955T4G

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规格书
1(NTD,NVD2955)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 18/Dec/2022)
HTML 规格书
1(NTD,NVD2955)
EDA 模型
1(NTD2955T4G by Ultra Librarian)

价格

数量: 12500
单价: $3.82795
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.97748
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 1

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