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元器件型号详细信息
原厂型号
NTMT190N65S3H
摘要
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 16A（Tc） 129W（Tc） 4-TDFN（8x8）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
129W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-TDFN（8x8）
封装/外壳
4-PowerTSFN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMT190N65S3H
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规格书
1(NTMT190N65S3H)
环保信息
()
价格
数量: 3000
单价: $21.75454
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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单价: $22.89949
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
型号 : FCMT080N65S3
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥65.90000
替代类型. : 类似
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