FDMS4435BZ

元器件型号详细信息

原厂型号

FDMS4435BZ

摘要

MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN

详情

表面贴装型 P 通道 30 V 9A（Ta），18A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） 8-PQFN（5x6）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

46 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

PowerTrench®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A（Ta），18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

20 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

47 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2050 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.5W（Ta），39W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN（5x6）

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

FDMS4435

其它名称

ONSFSCFDMS4435BZ

FDMS4435BZTR

2156-FDMS4435BZ-OS

FDMS4435BZCT

FDMS4435BZDKR

FDMS4435BZ-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDMS4435BZ

价格

数量: 15000

单价: $4.21301
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $4.37759
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $4.60798
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $4.93709
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.25362
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.5704
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.706
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.89
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.93709
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.25362
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.5704
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.706
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.89
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

416F3201XASR 387700312 HW-10-09-G-D-550-SM 807-018-458-103 "TPD4207F,FQ"

FDMS4435BZ

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