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GermanyIRF7834TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7834TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 19A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.25V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3710 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRF7834TRPBF
IRF7834PBFCT
IRF7834PBFDKR
IRF7834PBFTR
2156-IRF7834TRPBF-ITTR
IRF7834TRPBFTR-ND
IFEINFIRF7834TRPBF
IRF7834TRPBF-ND
SP001563774
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7834TRPBF
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()
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PCN 产品变更/停产
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PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRF7834PbF)
价格
-
替代型号
型号 : IRF7832TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.58000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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型号 : IRF7862TRPBF
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制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥5.74087
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型号 : FDS8870
制造商 : onsemi
库存 : 4,075
单价. : ¥14.42000
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型号 : SI4442DY-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 4,185
单价. : ¥25.43000
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