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GermanySISH110DN-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SISH110DN-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 13.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK® 1212-8SH
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
63 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen II
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 毫欧 @ 21.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SH
基本产品编号
SISH110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SISH110DN-T1-GE3TR
SISH110DN-T1-GE3CT
SISH110DN-T1-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SISH110DN-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SISH110DN)
HTML 规格书
1(SISH110DN)
价格
数量: 6000
单价: $4.99572
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 6000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 6000
替代型号
-