元器件型号详细信息

原厂型号
S1JHM3/61T
摘要
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
详情
二极管 600 V 1A 表面贴装型 DO-214AC(SMA)
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 1 A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
12pF @ 4V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DO-214AC,SMA
供应商器件封装
DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
S1J

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1JHM3/61T

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规格书
1(S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M)
HTML 规格书
1(S1A, S1B, S1D, S1G, S1J, S1K, S1M)

价格

-

替代型号

型号 : S1JHE3_A/H
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 172,677
单价. : ¥3.34000
替代类型. : 参数等效
型号 : S1JHE3_A/I
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 56,673
单价. : ¥3.34000
替代类型. : 参数等效
型号 : S1J-E3/61T
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 61,897
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 参数等效
型号 : S1J-E3/5AT
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 56,606
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 参数等效
型号 : GS1J_R1_00001
制造商 : Panjit International Inc.
库存 : 6,180
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 参数等效
型号 : GS1JWG_R1_00001
制造商 : Panjit International Inc.
库存 : 1,750
单价. : ¥1.51000
替代类型. : 参数等效
型号 : S1J
制造商 : onsemi
库存 : 506
单价. : ¥3.58000
替代类型. : 参数等效
型号 : S1J-HF
制造商 : Comchip Technology
库存 : 66
单价. : ¥1.59000
替代类型. : 参数等效