English
Spain
Rusia
Italy
GermanySI3434DV-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI3434DV-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 4.6A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 6.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
600mV @ 1mA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.14W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
基本产品编号
SI3434
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI3434DV-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI3434DV)
PCN 产品变更/停产
1(PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014)
HTML 规格书
1(SI3434DV)
价格
-
替代型号
型号 : RSQ020N03TR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,507
单价. : ¥5.33000
替代类型. : 类似
库存 : 2,507
单价. : ¥5.33000
替代类型. : 类似
型号 : RTQ035N03TR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 659
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 类似
库存 : 659
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 类似
型号 : RSQ045N03TR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 5,695
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
库存 : 5,695
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似
型号 : DMG6402LVT-7
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 6,673
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 类似
库存 : 6,673
单价. : ¥3.18000
替代类型. : 类似
型号 : STT6N3LLH6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,364
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 类似
库存 : 3,364
单价. : ¥6.04000
替代类型. : 类似
型号 : FDC645N
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : FDC653N
制造商 : onsemi
库存 : 5,976
单价. : ¥5.25000
替代类型. : 类似
库存 : 5,976
单价. : ¥5.25000
替代类型. : 类似
型号 : RTQ020N03TR
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 8,330
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似
库存 : 8,330
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似