BUZ31 H3045A

元器件型号详细信息

原厂型号

BUZ31 H3045A

摘要

MOSFET N-CH 200V 14.5A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 200 V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

14.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

200 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1120 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

95W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

BUZ31

其它名称

BUZ31L3045AXT

BUZ31 H3045A-ND

SP000102175

BUZ31 H3045ADKR-ND

BUZ31H3045ADKR

BUZ31 H3045ACT

BUZ31H3045ACT

BUZ31H3045ATR

BUZ31 L3045A-ND

BUZ31H3045AXT

SP000736084

BUZ31 L3045A

BUZ31H3045AATMA1

BUZ31 H3045ATR-ND

BUZ31 H3045ACT-ND

BUZ31 H3045ADKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BUZ31 H3045A

价格

数量: 5000

单价: $5.83364
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 3000

单价: $6.17395
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $6.61146
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $6.75726
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.1947
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.212
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.02
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $6.75726
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.1947
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $8.212
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.02
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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BUZ31 H3045A

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