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GermanyRGW40TS65GC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGW40TS65GC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 40 A 136 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
450
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，20A
功率 - 最大值
136 W
开关能量
330µJ（开），300µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
59 nC
25°C 时 Td（开/关）值
33ns/76ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
846-RGW40TS65GC11TR-ND
846-RGW40TS65GC11DKR
846-RGW40TS65GC11DKR-ND
846-RGW40TS65GC11TR
846-RGW40TS65GC11
846-RGW40TS65GC11DKRINACTIVE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGW40TS65GC11
相关文档
规格书
1(RGW40TS65GC11)
产品培训模块
()
特色产品
1(GWxx65C Series Hybrid IGBTs with Built-In SiC Diode)
价格
数量: 1000
单价: $19.2221
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.54884
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $26.488
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $32.331
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $36.01
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : RGW40TS65DGC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 445
单价. : ¥43.33000
替代类型. : 参数等效
库存 : 445
单价. : ¥43.33000
替代类型. : 参数等效