元器件型号详细信息

原厂型号
ZXMN6A11GTA
摘要
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 3.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
330 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
ZXMN6

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

ZXMN6A11GTR-NDR
ZXMN6A11GCT
ZXMN6A11GDKR
ZXMN6A11GTR
ZXMN6A11GCT-NDR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated ZXMN6A11GTA

相关文档

规格书
1(ZXMN6A11G SERIES)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Date Code Mark Update 13/Jan/2015)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
EDA 模型
1(ZXMN6A11GTA by Ultra Librarian)

价格

数量: 25000
单价: $1.86815
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 10000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
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