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GermanyRGS80TSX2GC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGS80TSX2GC11
摘要
IGBT TRENCH FLD 1200V 80A TO247N
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 555 W 通孔 TO-247N
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值
555 W
开关能量
3mJ（开），3.1mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
104 nC
25°C 时 Td（开/关）值
49ns/199ns
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247N
基本产品编号
RGS80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGS80TSX2GC11
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规格书
1(RGS80TSX2)
产品培训模块
()
HTML 规格书
1(RGS80TSX2)
价格
数量: 1000
单价: $50.32087
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $55.11812
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $63.297
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $76.451
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $84.66
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : RGS80TSX2DHRC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 781
单价. : ¥101.28000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥101.28000
替代类型. : 参数等效