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GermanySCTH50N120-7
元器件型号详细信息
原厂型号
SCTH50N120-7
摘要
PTD WBG & POWER RF
详情
表面贴装型 N 通道 1200 V 65A 270W（Tc） H2PAK-7
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
69 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
122 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
270W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
SCTH50
相关信息
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SCTH50N120-7-ND
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCTH50N120-7
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规格书
1(SCTH50N120-7)
PCN 产品变更/停产
1(SCTH50N120-7 obs 14/Jun/2022)
价格
数量: 25
单价: $248.5548
包装: 剪切带（CT）
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