元器件型号详细信息

原厂型号
BSH105,215
摘要
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 1.05A(Ta) 417mW(Ta) TO-236AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.05A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
570mV @ 1mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
152 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
417mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
BSH105

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

568-6215-2
568-6215-1
BSH105 T/R-ND
568-6215-6
1727-4924-6
568-6215-6-ND
568-6215-2-ND
568-6215-1-ND
1727-4924-2
934054715215
BSH105215
1727-4924-1
BSH105 T/R
BSH105,215-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. BSH105,215

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规格书
1(BSH105)
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HTML 规格书
1(BSH105)
EDA 模型
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价格

数量: 75000
单价: $0.64108
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
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