元器件型号详细信息

原厂型号
2N7002V-7
摘要
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
详情
MOSFET - 阵列 60V 280mA 150mW 表面贴装型 SOT-563
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
280mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
150mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
SOT-563
基本产品编号
2N7002

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

2N7002VDITR
2N7002VDICT
2N7002VDIDKR
2N7002V7

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated 2N7002V-7

相关文档

规格书
1(2N7002V, VA Datasheet)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Discrete Family 24/Jul/2013)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012)
HTML 规格书
1(2N7002V, VA Datasheet)
EDA 模型
1(2N7002V-7 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

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