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元器件型号详细信息
原厂型号
BYM300B170DN2HOSA1
摘要
IGBT MOD 650V 40A 20MW
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 650 V 40 A 20 mW 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
功率 - 最大值
20 mW
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.55V @ 15V，25A
电流 - 集电极截止（最大值）
40 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2.8 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BYM300
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-BYM300B170DN2HOSA1-448
BYM300B170DN2
SP000100772
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BYM300B170DN2HOSA1
相关文档
规格书
1(BYM 300 B 170 DN2)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 12/Mar/2021)
HTML 规格书
1(BYM 300 B 170 DN2)
价格
-
替代型号
型号 : FF225R12ME4BOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6
单价. : ¥1,197.57000
替代类型. : 类似
库存 : 6
单价. : ¥1,197.57000
替代类型. : 类似
型号 : DF100R07W1H5FPB54BPSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4
单价. : ¥555.14000
替代类型. : 参数等效
库存 : 4
单价. : ¥555.14000
替代类型. : 参数等效