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GermanyIPD079N06L3GBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD079N06L3GBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.9 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 34µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4900 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD079
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD079N06L3 GCT-ND
IPD079N06L3G
IPD079N06L3 GCT
IPD079N06L3 G-ND
IPD079N06L3 GDKR-ND
IPD079N06L3GBTMA1DKR
IPD079N06L3 G
IPD079N06L3 GDKR
SP000453626
IPD079N06L3GBTMA1TR
IPD079N06L3 GTR-ND
IPD079N06L3GBTMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1
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规格书
1(IPD079N06L3 G)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2021)
PCN 组装/来源
1(OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IPD079N06L3 G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRLR3636TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,841
单价. : ¥15.58000
替代类型. : 类似
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型号 : IRFR1018ETRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 44,602
单价. : ¥13.20000
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型号 : IPD079N06L3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,809
单价. : ¥8.74000
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型号 : SQD50N06-09L_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,936
单价. : ¥39.91000
替代类型. : 类似
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型号 : SUD50N06-09L-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 825
单价. : ¥27.11000
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型号 : STD70N6F3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.61000
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库存 : 0
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型号 : TK60S06K3L(T6L1,NQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥6.44586
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库存 : 0
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型号 : FDD10AN06A0
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.22000
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