IPD50N06S409ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPD50N06S409ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

allaboutcomponents.com 停止提供

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

9 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 34µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

47 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3785 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

71W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO252-3-11

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

IPD50

其它名称

IPD50N06S409ATMA1TR

2156-IPD50N06S409ATMA1-ITTR-ND

IPD50N06S4-09

2156-IPD50N06S409ATMA1

SP000374321

IPD50N06S4-09-ND

INFINFIPD50N06S409ATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD50N06S409ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : IPD50N06S409ATMA2

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,232
单价. : ¥10.02000
替代类型. : 直接

型号 : IRFR1018ETRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 42,600
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR3607TRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 25,654
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR3504ZTRPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16,510
单价. : ¥11.61000
替代类型. : 类似

型号 : SQD50N06-09L_GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,892
单价. : ¥39.91000
替代类型. : 类似

型号 : SUD50N06-09L-E3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 874
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似

型号 : DMTH6010SK3Q-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 16
单价. : ¥9.30000
替代类型. : 类似

型号 : DMTH6009LK3-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥9.06000
替代类型. : 类似

型号 : DMTH6010LK3-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥9.22000
替代类型. : 类似

60187 VJ0402D120MLXAJ CX10S-DCHCDG-P-A-DK00000 MC-500-595-GN-WT 353WB5A74AT

IPD50N06S409ATMA1

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