元器件型号详细信息

原厂型号
A2T23H300-24SR6
摘要
IC TRANS RF LDMOS
详情
RF Mosfet 28 V 750 mA 2.3GHz 14.9dB 66W NI-1230-4LS2L
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
150

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
LDMOS
配置
频率
2.3GHz
增益
14.9dB
电压 - 测试
28 V
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
电流 - 测试
750 mA
功率 - 输出
66W
电压 - 额定
65 V
安装类型
底座安装
封装/外壳
NI-1230-4LS2L
供应商器件封装
NI-1230-4LS2L
基本产品编号
A2T23

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

其它名称

A2T23H300-24SR6CT
A2T23H300-24SR6-ND
935322359128
A2T23H300-24SR6TR
A2T23H300-24SR6DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/RF FET,MOSFET/NXP USA Inc. A2T23H300-24SR6

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规格书
1(A2T23H300-24SR6)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 14/Dec/2022)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(A2T23H300-24SR6)

价格

-

替代型号

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