元器件型号详细信息

原厂型号
IPI100N12S305AKSA1
摘要
MOSFET N-CHANNEL_100+
详情
通孔 N 通道 120 V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.1 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
185 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11570 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO262-3-1
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
基本产品编号
IPI100N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPI100N12S305AKSA1
INFINFIPI100N12S305AKSA1
SP001399692

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPI100N12S305AKSA1

相关文档

规格书
1(IPx100N12S3-05)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 9/Sep/2019)
PCN 组装/来源
1(Wafer Test Add 27/Apr/2017)
仿真模型
1(OptiMOS-T 120V Spice Model)

价格

-

替代型号

型号 : IPB100N12S305ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,870
单价. : ¥37.84000
替代类型. : 类似